OMRON槽型光电传感器结构图

OMRON槽型光电传感器结构图

产品概述：

光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏如光电池等。 

光电检测方法具有、反应快、非接触等，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。

输入电压 测试输入、复位输入、外部设备监控输入和功能选择输入都是

缘电阻 20MΩ （DC500V时）

延长导线 φ6.6mm， 8针（0.3mm2 × 4P，电阻0.058Ω/m）

带编织屏蔽，许可弯曲半径R36mm

输入电流 测试输入、复位输入、功能选择输入：1.5～3mA

OMRON槽型光电传感器结构图